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经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，8月12日，首颗8英寸N型SiC晶体成功
经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，8月12日，首颗8英寸N型SiC晶体成功
经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，8月12日，首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代，这是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。
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