证券简称：佰维存储 证券简称：688525
深圳佰维存储科技股份有限公司
关于本次募集资金投向属于科技创新领域的说明（修订
稿）
深圳佰维存储科技股份有限公司（以下简称“佰维存储”或“公司”） 根据《科创板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》等有关规定，结合公司本次向特定对象发行股票方案及实际情况，对 2023 年度向特定对象发行 A 股股票募集资金投向是否属于科技创新领域进行了研究，制定了《关于本次募集资金投向属于科技创新领域的说明（修订稿）》（以下简称“本说明”），具体内容如下：
一、公司的主营业务
公司主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，主要产品及服务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务。公司紧紧围绕半导体存储器产业链，构筑了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，并积极布局芯片 IC 设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域，是国家级专精特新小巨人企业、国家高新技术企业。公司产品可广泛应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等领域。
二、本次募集资金投向方案
（一）本次募集资金使用计划
本次向特定对象发行 A 股股票募集资金总额不超过 190,000.00 万元（含本
数），扣除发行费用后，实际募集资金将用于以下方向：
单位：万元
序号 项目名称 拟投资总额 拟用募集资金投资金额
1 惠州佰维先进封测及存储器制造基 88,947.41 88,000.00
地扩产建设项目

2 晶圆级先进封测制造项目 129,246.09 102,000.00
合计 218,193.50 190,000.00
本次发行募集资金到位前，公司可根据募集资金拟投资项目实际进度情况以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后按照相关法律、法规规定的程序予以置换。
本次发行募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于上述项目募集资金拟投入总额，公司董事会或其授权人士将根据实际募集资金净额，在上述募集资金投资项目范围内，根据募集资金投资项目进度以及资金需求等实际情况，调整募集资金投入的优先顺序及各项目的具体投资额等使用安排，募集资金不足部分由公司以自有资金或自筹解决。
（二）募集资金投资项目情况及可行性分析
1、惠州佰维先进封测及存储器制造基地扩产建设项目
（1）项目概况
本项目投资总额 88,947.41 万元，拟投入募集资金 88,000.00 万元，实施地点
位于广东省惠州市，为公司全资子公司惠州佰维现有厂区。项目募集资金主要将用于洁净装修、购置生产设备等，以提高公司生产能力和生产效率，满足公司业务扩张的需求，助力公司实现进一步发展。
（2）项目实施的背景
1）响应国家政策号召，推动国产化发展，推进新一轮信息化进程
随着信息技术的不断发展，信息的传递和存储在社会发展中变得至关重要。存储器作为物联网、大数据、云计算等新兴领域不可或缺的信息存储核心载体，承载了经济、社会、科技等信息和资源，对国家发展起到至关重要的作用。因此存储芯片的国产化发展对我国新一轮信息化进程具有十分重要的战略意义。
集成电路行业作为现代信息技术产业的硬件基础，是促进经济发展的先导性、基础性、战略性产业。为支持集成电路产业关键核心领域的技术突破，政府出台了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》《国家集成电
税政策的公告》等多项鼓励性政策，从财税、技术、人才、应用、国际合作等多方面予以优惠，持续促进我国集成电路产业发展。
2021 年 3 月，全国人民代表大会审议通过了《中华人民共和国国民经济和
社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》，进一步明确了集成电路领域技术攻关和创新发展在“十四五”期间的重要地位。我国集成电路产业的政策红利显示出了良好的延续性，有利于推动我国集成电路行业的健康发展，为募投项目顺利实施提供了可靠的政策保障。
当前我国正处在高质量发展的进程中，产业转型迫在眉睫，存储芯片在推动国家信息化上承担着关键作用。因此，公司积极响应国家产业政策号召，拟通过本项目实施，持续引进优秀人才，提升工艺制造水平，扩大制造产能，助力本土产业链的发展壮大。
2）顺应行业周期性、成长性发展趋势，把握市场机遇
存储行业作为半导体产业风向标，受供需关系影响呈现较强的周期性。近年来，受全球贸易关系持续紧张、国际局部地缘政治冲突升级、通货膨胀高企等因素影响，全球经济充满不确定性，消费市场增长乏力，市场需求疲软，景气度持续低迷，半导体产业链短期内遭受到巨大冲击，行业景气度趋于周期性底部区域。另一方面，未来随着 5G、AI、物联网、云计算等新兴技术的快速发展，5G 智能手机、可穿戴设备、服务器、车载电子、工业物联网等相关终端应用产品将为存储器产业带来可观的新增市场需求，长期来看，存储行业整体仍将呈现增长态势，具备长期成长性。根据 WSTS 数据显示，2020-2023 年，全球存储芯片市场规模
分别为 1,175 亿、1,538 亿、1,298 亿和 896 亿美元。WSTS 预测，存储市场将在
2024 年迎来大幅反弹，2024 年存储市场规模约为 1,298 亿美元，同比预计增长超过 40%。从中长期来看，根据 Yole 数据，2021-2027 年全球存储芯片行业市场
规模的复合年增长率为 8%，并有望在 2027 年增长到 2,600 亿美元以上。
因此，为顺应存储器行业周期性、成长性发展趋势，把握市场机遇，抢占市场先机，公司亟需进一步加大对存储器产品的产能建设投资力度，提高产品供应和服务能力，不断增强公司盈利能力，巩固和提升公司市场地位。

公司拟通过本项目建设，引进先进生产设备，并对公司现有工艺流程进行优化提升，实现产品对高良率的需求，以生产出轻薄小巧的高容量存储芯片产品，进而匹配终端消费电子、车载电子、工业物联、服务器等领域的需求。通过本次项目的实施，公司将对现有产能规模进行扩充，进一步提升公司产品的覆盖广度和深度，提高公司的业务规模，进而增强公司盈利能力。
3）本土化市场需求快速增长，下游优质客户良好稳定的合作关系保障新增产能消化
当前国产 DRAM 和 NAND Flash 芯片市场份额较低，近年来国家大力推进
半导体产业国产化进程，为国产存储器提供了广阔的本土化发展空间。公司与国内存储器产业链的上下游企业建立了密切的合作关系，随着国内存储器产业的发展壮大，与之配套的相关产能亟需扩增。
公司主要产品广泛应用于智能手机、电脑、可穿戴设备、机顶盒、教育电子、游戏机、工业设备、安防监控、医疗设备、车载电子等多个领域。公司与上述领域头部客户建立了良好的合作关系，并在多个细分市场占据重要份额。公司与下游优质客户良好稳定的合作关系亦有利于保障本项目新增产能的消化。
4）公司在存储芯片封装测试领域拥有深厚的技术积累，为本项目实施提供了有力支持
生产制造能力是存储器厂商的核心竞争力之一。因此，公司通过加大工艺研发投入，引进先进生产和检测设备，推行精益生产，整合工艺流程等措施，大力加强信息化、自动化、智能化制造水平，不断提升生产制造能力。公司掌握 16 层叠 Die、30~40μm 超薄 Die、多芯片异构集成等国内领先的存储芯片先进封装工艺，为 NAND、DRAM 芯片和 SiP 封装产品的创新力及大规模量产提供支持，使得存储芯片在体积、散热、电磁兼容性、可靠性、存储容量等方面拥有较强的市场竞争力。另外，公司通过自研存储芯片测试设备，以及多年产品的开发、测试、应用循环迭代，积累了丰富多样的产品与芯片测试算法库，有效保障了存储芯片的交付质量。
因此，公司在上述领域已有的深厚技术积累将为本次募投项目的成功实施奠
定坚实基础。
（3）项目实施主体与投资情况
本项目实施地点位于广东省惠州市，拟使用公司全资子公司惠州佰维现有土地，不涉及新增土地用地审批手续。惠州佰维使用的土地已取得不动产权证书（粤（2022）惠州市不动产权第 5078334 号）。
本项目备案手续已完成（项目代码：2308-441305-04-01-643742），环评批复程序已完成（惠市换（仲恺）建〔2023〕199 号），能评批复程序已完成（惠市能重节能〔2023〕51 号）。
2、晶圆级先进封测制造项目
（1）项目概况
本项目投资总额 129,246.09 万元，拟投入募集资金 102,000.00 万元，公司拟
以广东省为实施地点，以控股子公司广东芯成汉奇半导体技术有限公司实施本项目。项目募集资金主要用于购置先进生产设备，研发先进生产工艺，构建晶圆级先进封测能力。
（2）项目实施的背景
1）晶圆级先进封装技术是先进存储器发展的必然要求
先进 DRAM 芯片频率极高，带宽较大，传统的 Wire-Bonding 键合工艺面临
挑战，晶圆级封装技术可以通过高密度、细间距互联方案提供更多 IO 接口和更短的互联路径，提升性能和信号质量，降低功耗。
先进 NAND 控制器是先进 NAND Flash 存储器的核心部件，其 Serdes IO 速
率较高，需通过晶圆级先进封装技术，提供高速互联路径，满足数据传输高频和高速的要求。
目前“存储墙”、“功耗墙”对算力进一步提升和实现低功耗计算产生了严重制约，业界普遍探索将存储与计算进行整合，以解决上述难题。其中，缩短存储与计算的物理互联是技术发展的一个重要方向。存储与计算的互联关系经历了如
下发展，从最初的存储 IC 与计算 IC 的 PCB 板级互联，到存储 IC 与计算 IC 的
封装体叠层（PoP，Package on Package），再到存储 IC 与计算 IC 的高密度细间
距扇出封装、存储 IC 与计算 IC 的 3D 垂直封装，以实现更短的互联路径。上述
发展历程在工艺维度上经历了从 SMT 到 BGA 封装再到晶圆级封装的过程，晶圆级封装所实现的高密度细间距扇出封装、3D 垂直封装是当前实现存储与计算有效整合的领先路径，广泛应用于先进 AP、高性能计算等领域。
综上，先进 DRAM 存储器、先进 NAND 存储器、存储与计算整合等领域的
发展均离不开晶圆级先进封装技术的支持，晶圆级先进封装技术是先进存储器发展的必然要求。
2）晶圆级先进封装市场成长空间较大，亦是大湾区半导体产业亟需补强的重要环节
随着后摩尔时代的到来，晶圆制程微缩受限，业界广泛认识到晶圆级先进封装技术在推动芯片高密度集成、性能提升、体积微型化和成本下降等方面的巨大潜力，先进封装技术正成为集成电路产业发展的新引擎，随着凸块加工与倒装、扇入/扇出型封装、2.5D 封装、3D 封装等先进封装技术的发展以及国内产业链不断壮大，先进封装市场规模迅速扩大。
根据 Yole 预测，全球先进封装市场有望在 2027