公告日期：2017-02-10

证券代码：002428 证券简称：云南锗业 公告编号：2017-008云南临沧鑫圆锗业股份有限公司关于实施“5万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目”的公告本公司及董事会全体成员保证公告内容真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。2017年2月9日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称“公司”）第五届董事会第二十三次会议审议通过《关于子公司实施“5万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目”的议案》，同意公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称“鑫耀公司”）使用36,000,000.00元自有资金实施“5万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目”。具体内容如下：一、投资项目概述鑫耀公司将在昆明高新技术产业开发区马金铺电力装备园区地块B-5-5建设一条5万片/年2英寸VGF磷化铟开盒即用单晶片生产线。项目总投资3638.68万元。主要用于改造建筑面积1711㎡，购置2英寸磷化铟晶片生产设备仪器101台/套。二、项目实施主体基本情况本次项目将由公司控股子公司鑫耀公司负责实施。鑫耀公司基本情况如下：企业名称：云南鑫耀半导体材料有限公司统一社会信用代码：915301000776173084类型：有限责任公司（自然人投资或控股）法定代表人：李苏滨注册资本：9547万人民币成立日期：2013年09月10日营业期限：2013年09月10日至长期住所：云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼经营范围：半导体材料销售；货物及技术进出口业务；半导体生产（限分公司经营）（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）股权结构：本公司持有鑫耀公司70%股权，自然人李苏滨先生持有其30%股权。三、资金来源本次项目实施，鑫耀公司将使用自有资金进行。四、项目建设的主要内容1、建设内容将在昆明高新技术产业开发区马金铺电力装备园区建设一条5万片/年2英寸VGF磷化铟开盒即用单晶片生产线。2、项目建设期本项目建设期12个月。3、项目预算本项目总投资 3638.68万元，其中固定资产建设投资3437.98万元，流动资金200.70万元。其中，建设投资估算为3437.98万元，估算范围包括建筑工程费、设备购置费、安装工程费、其他费用等。4、实施主体本项目实施主体为鑫耀公司。五、项目建设可行性磷化铟（InP）是重要的化合物半导体材料，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料。其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。磷化铟晶片作为一种新型半绝缘晶片，对于改善和提高基微电子器件的性能具有重要的意义，既保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性，同时铁浓度大幅降低，电学性质、均匀性和一致性显着提高，主要用于制作半导体材料以及光纤通信技术。本项目符合国家产业政策，在中试线成功实施的基础上建设，具有良好的产业化基础。预计本项目建成后每年可实现营业收入3350万元，达产年平均利润总额560万元（风险提示：以上财务测算是根据当前市场情况测算，并不代表公司的盈利预测，能否实现取决于项目的进展情况、市场状况变化及经营团队努力程度等多种因素）。六、项目建设对公司的影响鑫耀公司系本公司控股子公司，目前其已建成砷化镓单晶及晶体产业化生产线，“5万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目”的建设，将进一步丰富其在半导体材料领域的产品，有利于巩固和提升其产业基础，增强其综合竞争力。特此公告。云南临沧鑫圆锗业股份有限公司董事会2017年2月10日[点击查看原文][查看历史公告]

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