中国闪存 China flash（碎片信息整理，等待验证）自动驾驶、工业机器人、物联网、AI等新兴技术的发展，对存储器提出了更高要求。NAND的可靠性、读取速度和抗高温性强都较差，很难在未来体量日趋增长的自动驾驶、工业机器人等领域实现应用。“未来的存储器市场还是围绕读取速度快、大容量、高可靠性的闪存芯片展开，NOR有了更多机会”。受益于全新应用场景对需求的拉动，NOR闪存原有的存量市场被带动了起来，一批NOR闪存厂商，如中国台湾的旺宏、华邦，以及中国大陆的兆易创新等迅速崛起。集邦咨询数据显示，NOR闪存价格在2019年第三季度开始止跌回升，从旺宏、华邦和兆易的营收增长也能开出这一趋势，NOR闪存市场已经进入上行周期。中国闪存 China flash 中国闪存 China flash 中国闪存 China flash 中国闪存与英唐智控签署排他合作协议的中天弘宇，其4F2NOR Flash新一代闪存——这款被命名为“中国闪存”的技术，完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新，突破多年来困扰半导体NOR闪存领域的技术瓶颈。中天弘宇完成4F2NOR Flash闪存技术的研发，成为一家全面完整拥有4F2NOR Flash闪存核心技术和知识产权的企业。中天弘宇已成功流片，运用在中天弘宇首颗MCU（微控制单元）产品的设计上，使芯片可在低至1V的电压下工作，低压、低功耗的特性在众多应用领域大有可为。创新 颠覆传统技术创新NOR发明人、中天弘宇首席科学家王立中博士经过十余年的研发积累，带领研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新。据王立中博士介绍，他们的NOR闪存架构沿用了整个NOR的架构，但又与英特尔原始的NOR完全不同，提出了一个“非接触式虚地”的更简洁的设计方案，即在不影响cell速度特性的基础上，使“侧墙位线”通过最小尺寸浅沟槽自对准工艺进行制作；通过扭曲场氧化区来限制“侧墙位线”的长度,这种方式可以在保持最小cell面积的前提下, 在一个金属线宽度内分别独立选取两个相邻的埋位线。创新后的架构可以解决NOR闪存栅极不能缩短至90nm以下的技术难题，使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2，且成本有望缩减为现有产品的十分之一，摩尔定律可以继续在该产品上得以体现。自此打开了未被开发的高密度存储市场，开拓出一片全新的应用领域。成功流片后，基于4F2 NOR闪存的创新技术，率先推出了一款嵌入式NOR闪存。“NOR闪存非常适用于程序存储和快速读取。除了单机内存芯片，它也非常适合嵌入到MCU中。”“从现阶段的需求量来看，嵌入式NOR闪存将迎来最大的应用市场，特别是低于1伏电压的解决方案对于低功耗的物联网设备尤其有吸引力。”驱动IC、电源IC、嵌入式触控控制IC和MCU都非常适合嵌入式NOR闪存来提高现有性能。其中，自动驾驶的防碰撞系统是重要的“用武之地”，创新后的嵌入式NOR闪存芯片可稳定保存应急情况下的防碰撞策略算法，并在纳秒内发出防碰撞动作指令，确保车辆安全。NOR Flash作为利基存储器的投资逻辑：1、从市场属性看NOR Flash市场格局：NOR Flash在存储行业占比仅为1%，过小的市场容量决定了全球存储巨头美光、三星等逐渐退出该行业，但是NOR Flash的特性决定了其重要性不可替代。2、从产品制程看NOR Flash产业链：NOR Flash的制程都在45纳米及以上成熟制程，对于成熟制程，国产半导体产业链有足够的能力实现国产替代。3、从供需格局看NOR Flash：NOR Flash的利基存储器属性决定了它在无线耳机、5G基站等多个领域内无可替代的火热需求，同时伴随晶圆厂的产能吃紧，以及部份产能转向逻辑芯片，NOR Flash未来的涨价确定性较强，3月29日，NOR Flash大厂旺宏董事长在接受媒体时表示，因市场需求增加，产能供不应求，预计NOR Flash的缺货情况将持续2年之久。

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