【合肥长鑫存储即将挤身全球第四大存储芯片厂商】长鑫存储明年四季度将超南亚科技，17nm内存明年问世，将成为全球第四大存储芯片厂商根据TrendForce公布的2020年二季度全球DRAM内存芯片市场数据显示，三星、SK海力士、美光这前三家DRAM大厂占据了全球市场94.6%的份额。排名第四的则是南亚科技，市场份额仅3.2%，其他的厂商份额均不到1%。显然，在DRAM内存芯片市场，头部的三家大厂已经形成了强势的垄断地位，留给其他厂商的空间非常小。不过，在国产DRAM芯片厂商的努力之下，依托于国内庞大的市场需求，国产DRAM芯片的市场份额也在快速提升。在11月12日由TrendForce集邦咨询主办的MTS2021存储产业趋势峰会上，TrendForce公布了2020-2021年全球内存厂商晶圆投片量的预估数据。根据该数据显示，自去年四季度长鑫存储的DRAM芯片成功量产之后，其晶圆的投片量持续增长，今年一季度投片量虽然只有1万片/月，但是随着长鑫存储的DRAM产品在客户端的进一步拓展，其产能也在持续扩张，到今年四季度其投片量已经快速提升到了4.5万片/月。而根据TrendForce集邦资讯的预测，到2021年四季度，长鑫存储的投片量将达到8.5万片/月，届时将成功超越目前排名第四的南亚科技（7.1万片/月），成为仅次于三星、SK海力士、美光的全球第四大DRAM芯片厂商。当然，所谓的第四名，实际上并没有太大的意义，因为与前三名的投片量相比差距巨大。即使第三名的美光，其明年四季度的投片量也高达35.5万片/月，是预测中的长鑫存储的8.5万片/月的投片量的约4.18倍。资料显示，目前长鑫量产的主要是19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片，获得了威刚科技、江波龙FORESEE等存储品牌厂商的采用。根据今年7月初，安徽省发布的《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件显示，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，其中在内存技术方面，要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。而目前国内已经实现量产的DRAM内存芯片的国产厂商只有长鑫存储，而且长鑫存储也正是位于安徽省会合肥的企业，显然，这份文件上所提出的内存技术攻关要求，也正是针对长鑫存储提出的。另外根据此前的规划也显示，长鑫存储将在2021年完成17nm DRAM的技术研发。接下来长鑫存储将会推出基于10G3工艺的DDR4/LPDDR4x和DDR5/LPDDR5，还将推出基于10G5工艺的DDR5/LPDDR5以及GDDR6。这里的10G3工艺应该指的就是17nm工艺。000021深科技，百亿投资合肥的先进存储封测和先进模组制造项目，主要是配套合肥长鑫晶园厂。项目的第一期30.6亿元，大基金投资9.5亿元，已经开启。项目的第二期70亿元，估计明年初就将启动，大基金二期也必然跟投，合肥长鑫将很快成为全球第四大存储芯片公司，最受益的A股上市公司就是000021深科技！整个项目达产后，我们根据公司可行性报告的公告测算，将为深科技每年新增百亿元左右的收入，新增近20亿元左右的净利润。

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