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800V电气架构革新将促使耐高压SiC基MOS芯片全面替代Si基 IGBT

秦必泳

(发表于: 三安光电股吧更新时间: 2021-12-08 10:35:08)

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800V电气架构革新将促使耐高压SiC基MOS芯片全面替代Si基 IGBT

【集邦咨询：预估2025年电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片】

据TrendForce集邦咨询研究显示，随着电动车渗透率不断升高，以及整车架构朝800V高压方向迈进，预估2025年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。800V电气架构的革新将促使耐高压SiC功率器件全面替代Si IGBT，进而成为主驱逆变器标配，因此SiC深受车企追捧。

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宁往

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2021-12-01 14:07:22
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庾觅

马前炮

2021-12-01 16:24:41
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何住

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2021-12-01 21:53:33
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左舶宋

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2021-12-02 09:58:04
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空冈艴

马前炮

2021-12-02 16:38:34
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马前炮

2021-12-02 19:55:47
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2021-12-03 09:13:54
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2021-12-06 08:46:27
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