核心观点:    ASML发布2018Q2财报,逻辑制程驱动极紫外光机EUV成为营收主要增长点,带动二季度营收增长超过30%。EUV(极紫外光机)是保证摩尔定律延续的关键设备,也是当前最先进的半导体光刻设备,其目标市场定位先进制程7nm工艺。全球晶圆代工龙头台积电通过引进EUV推出的7nm工艺几乎包揽了100%7nm市场。我们预计其下游主要客户有苹果、华为海思(麒麟980芯片)、超威(罗马服务器CPU),赛灵思(Everest),挖矿机厂商嘉楠耘智等。而且由于EUV光刻机的超高技术壁垒,整个EUV市场被ASML-家独占。此外今年的另一个技术趋势是存储器领域3D技术逐渐走向成熟,由于3DNAND需要堆叠技术,更多的层数将带动光刻设备(主要是DUV)的需求,因此我们认为国内半导体设备龙头厂商将优先受益。    2018年7月16日合肥长鑫DRAM“506项目”正式宣布试产8GbDDR4的工程样片,标着着自主研发的国产DRAM芯片实现了O到1的突破。虽然中国是全球最大的消费电子市场和电子产品制造地,对于存储器需求旺盛,但是占存储器90%以上的内存DRAM和闪存NANDFLASH市场基本上是由韩,日,美三国垄断。即使下游需求暴涨,这三巨头依然联手限产控价,实现了半导体存储器市场20%以上的高速增长。随后国内接连发起对于三星,关光和海力士的反垄断调查,但是依然难掩国内存储器市场的落后,此次合肥长鑫DRAM芯片的投片弥补了国内厂商在DRAM市场的空白。我们认为合肥长鑫项目一旦顺利竣工,整条DRAMIDM产业链都将充分受益,首先是参与设计的兆易创新和提供设备的北方华创将优先受益,其次太极实业作为其洁尘室的设计方和国内DRAM封测龙头,有望承接长鑫一部分封测订单,在合肥布局建厂的通富微电也有希望获得部分订单。    重点关注:    上海微电子,太极实业,通富微电,兆易创新,北方华创    风险提示:    中国存储器进展不及预期    合肥长鑫DRAM芯片研发进度不达预期    半导体行业景气度下降,存储器需求减弱    国际存储大厂增加供给,挑起价格战,打压国内厂商的崛起。

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