报告导读 兆易创新8 月24 晚间发布2018 年中报,上半年实现营业收入为11.07 亿元,YOY +17.88%;归母净利润2.35 亿元,YOY +30.99%;扣非净利润2.19 亿元,YOY +38.52%。    投资要点    上半年业绩稳定增长,国产化份额逐渐提升    上半年公司业绩稳定增长,业绩符合预期,经营活动产生的现金流量净额为1.84 (YOY +37.39%),由于上半年NOR Flash 降价以及优化NOR Flash、MCU 等产品组合,以及对三费的控制,2018H1 销售毛利率37.87%,净利率21.22%, 分别同比提升2.18pct 和2.02pct,环比下降4.29pct 和上升1.24pct。其中18Q2 单季度营收5.65 亿元,YOY +16.18%,QOQ +4.24%;净利润1.46 亿元,YOY +32.54%,QOQ +64.04%,季度环比变好; 二季度毛利率37.52%,净利率25.70% 同比下降3.69pct 和上升2.96pct,主要由于1)去年NOR Flash 经过一轮价格上涨,今年价格下降并且趋缓,同时整体出货量增大;2)Q2 三费较Q1 减少4300 万元,其中财务费用减少5300 万元,主要由于美元与人民币的汇率波动较大所导致。长期来看,在 NOR Flash 产品上,随着全球闪存芯片龙头企业逐步淡出 NOR Flash 芯片市场,为国内 NOR Flash 芯片设计企业尤其是串行 NOR Flash 芯片设计企业带来极为正面的影响,有助于进一步提高市场份额。    新品开发致研发费用大幅增加,丰富公司产品线    上半年公司管理费用增长44%(+0.41 亿元),主要因上半年研发费用投入大幅增加(+97.08%,0.93 亿元)所致,Flash 持续开发新产品和技术升级,公司已申请 739 项专利,获得 320 项专利。目前,NOR Flash 实现 512Mb 大容量产品量产,并丰富了宽电压、低功耗等产品线型号。工艺方面加大推进先进工艺节点 55nm NOR Flash 技术产品研发,在性能和成本方面进一步提高竞争力。NAND Flash 38nm 产品已稳定量产,24nm NAND Flash 也在推进研发工作, MCU 产品主要采用 110nm、55nm 工艺平台,已经启动 40nm 工艺制程平台产品开发。    合肥长鑫正式流片,进度有序推进    1)近期,合肥长鑫存储的DRAM 正式首次投片,产品规格为8GB LPDDR4, 这是国产DRAM 产业的一个里程碑,为今年年底DRAM 良品率不低于10%打下基础,预计2019Q3 将正式推出;2)国内存储阵营初见雏形。中国存储器长江存储、合肥睿力、晋华集成 2018 年开始产能逐步开出,其中NAND Flash 发展上最有望突围的为长江存储,在2017 完成32 层3D NAND 研发布,有望在2018 年量产之时,完成64 层设计;DRAM 发展最快的则为合肥睿力,已经正式流片。国内存储逐渐实现0 到1 的突破,整体进度有序推进。    盈利预测及估值    考虑到NOR Flash 产能有序释放,MCU 稳定增长,DARM 具有想象空间(暂不纳入报表),以及暂时不考虑思立微合并报表,以及NAND Flash 产能低于预期,我们下调公司业绩,预计公司18-20 年实现的净利润为6.04/9.87/13.87 亿元,对应EPS 分别为2.13、3.48、4.89 元/股。我们看好公司盈利能力以及未来的成长空间,给予“买入”评级。    风险提示    产能不达预期,核心客户出货不达预期,市场竞争加剧。

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