事件点评    因为英特尔14纳米x86CPU短缺可能持续到明年第一季度,而造成某些特定客户开始清除因之前担心涨价而多建的库存,加上美国提高关税的不利影响,美光预期第四季度销售环比衰退2-6%而低于市场预期。而我们认为比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振,及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳,加上3DNAND转到96层及DRAM转到19纳米以下制程工艺的产能增加,我们预估明年内存DRAM和闪存NAND将会有3-5%的供过于求,价格下行趋势确立,而将造成2019年整体存储器芯片产业同比衰退5-9%及全球半导体产业同比衰退1-4%。我们的预估比DRAMeXchange对明年存储器芯片产业5%的同比成长预估来的悲观许多,但DRAMeXchange上周五也下修今年第四季度的DRAM合约价格预期,从1-3%价格环比下跌下修到5%的价格下跌。虽然存储器价格下行趋势确立,但我们预估此次下行趋势应不超过18个月,英特尔14纳米x86CPU短缺状况应会于明年中之前改善,10纳米x86CPU应于明年下半年量产,AMD7纳米x86CPU,7纳米挖矿机及智能手机,5G手机都将于明年出笼而对存储器半导体产生正面影响。因此我们预估大多数的内闪存存储器半导体公司会面对营业利润率从近50%的高档下滑,但却不至于步入亏损,因此我们不预期主流存储器会将大量产能转入利基型NOR和SLCNAND闪存市场而造成其价格崩跌,NOR和SLCNAND闪存领导厂商旺宏,华邦,兆易创新,武汉新芯将持续将产品转为价格及获利较好的高密度NOR和SLCNAND,而让相关厂商同比获利衰退幅度相对较小。但此下行趋势对明年即将量产的中国主流存储器芯片大厂长江存储,合肥长鑫,福建晋华当然是雪上加霜。    投资建议    中国大陆/台湾重点关注公司:兆易创新,长江存储,南亚科技    全球重点关注公司:SK海力士,美光    风险提示    虽然我们预估此次存储器芯片产业下行趋势应不超过18个月,相关厂商不至于步入亏损,但我们不能排除下行趋势中所引发的全面清库存的动作,所可能引发远高于市场预期的价格崩跌,及半导体制程工艺演进因价格崩跌而加速产出,造成远高于市场预期的存储器芯片供给。

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