在天科技深度报告二中我们提到,我们陆续建立起了电子/半导体产业周期分析、产业估值比较、规范可跟踪的个股业绩分解和盈利预测,以及基于财务的价值链、供应链和公司治理分析框架。我们亦提到,后面的工作将基于以上的体系泛化研究,和添加边角,其中较为重要的边角即海外电子供应链和标的研究当前市场寄托较大希望于4Q17电子供应链回补库存和拉高出货,因此4Q17电子下游终端需求强弱,特别是智能手机出货多寡,对A 股电子供应链标的弹性影响较大,我们希望从3Q17海外重要公司季报对4Q17业绩的指引寻找部分答案。本篇报告我们对拉姆研究(LRCX.O)3Q17季报和4Q17指引进行剖析和整理。    拉姆研究(Lam Research)3Q17营收24.78亿美元,超华尔街一致预期0.49%(前一日),毛利率46.5%,低于华尔街预期0.28%。3Q17公司营收同比大增51.81%,毛利率46.4%. 4Q17公司预计营收25.4亿美元,毛利率46.4%。公司成长主要来自于存储器需求强劲和技术更迭,截止目前供给投入仍然保持理性,供需平衡偏紧,公司预计2017年存储器市场收入增长40%,其他晶圆代工市场收入增长25。    公司内部评估认为2018年产业资本支出将依然强劲,1H18公司设备出货量将比2H17更为强劲。公司认为2018年公司WFE 设备出货增长在5~10%之间,其中超过85%来自于存储器。公司认为包括Dram 和Nand 在内的存储器市场景气回暖关键驱动是下游需求复苏,因此受益于存储器市场现有产能的活跃,公司在Nand 和DRAM 领域的设备和服务业务都保持了高速增长,亦是公司上调2017-2018成长预期的关键因素。公司认为截止2017年底,存储器供给和2015年相比并没有增加,并且在可预见的程度上认为,2018年的产能投放下游客户大多保持克制。    公司认为当前产业资本支出仍处于可持续和理性水平。在2Q17季报中公司提到2017年DRAM 供给的增加仅约1%~3%,产能扩充保持你了充分的理性。截止目前有所区别的是,公司认为20nm 制程DRAM 产能占比的提升快于之前的预计,但公司同时认为制程更新带来的单位容量供给边际增加在减小。公司对未来3年DRAM 供给增长的假设目前仍然是轻微增长。公司认为存储器资本支出增速未来将稳定在20%左右,与长期平均水平一致,远低于于前一个周期的高点即30%至35%。因此公司认为供过于求的情况很难在短期内出现。    公司认为3Q17来自中国区的出货下降并不代表趋势的意义。公司认为4Q17~3Q18全球18座新建晶圆厂中8座坐落于中国大陆(包括NAND、DRAM 和逻辑,且NAND 的投资明显大于DRAM),4座位于中国台湾。中国晶圆厂的投资一半来自于海外,一般来自于中国本土。

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